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jul-2013Ab initio LSDA and LSDA+U study of pure and Cd-doped cubic lanthanide sesquioxidesRichard, Diego; Muñoz, Emiliano Luis; Rentería, Mario; Errico, Leonardo Antonio; Svane, A.; Christensen, N. E.-
2004Determinación de la orientación del gradiente de campo eléctrico en el semiconductor TiO<SUB>2</SUB>(ta) : Estudio de propiedades estructurales y electrónicas a partir de cálculos ab initioDarriba Germán NicolásSEDICI
2006Determinación experimental y de primeros principios del tensor gradiente de campo eléctrico (GCE) en el semiconductor α-Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>(Ta) (Zafiro): estudio de propiedades estructurales y electrónicasMuñoz, Emiliano LuisSEDICI
2009Estudio experimental y de cálculos de primeros principios del semiconductor Sc<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> dopado con <SUP>111</SUP>In → <SUP>111</SUP>Cd, <SUP>181</SUP>Hf → <SUP>181</SUP>Ta y <SUP>44</SUP>Ti → <SUP>44</SUP>ScRichard, DiegoSEDICI
2011Estudio experimental y de primeros principios de interacciones hiperfinas dinámicas en óxidos semiconductores dopados con impurezas (<sup>111</sup>In(EC)→)<sup>111</sup>CdMuñoz, Emiliano LuisSEDICI
2009Propiedades estructurales y electrónicas de óxidos semiconductores con impurezas <SUP>181</SUP>Ta/<SUP>111</SUP>Cd diluídas : Estudio experimental y de primeros principiosDarriba, Germán NicolásSEDICI
feb-2018Structural and electronic properties of Al-doped ZnO semiconductor nanopowders: Interplay between XRD and PALS experiments and first-principles/DFT modelingDamonte, Laura Cristina; Darriba, German Nicolas; Rentería, MarioCONICET