Registro completo de metadatos
Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.creatorDussan, A.-
dc.creatorSchmidt, Javier Alejandro-
dc.date2017-05-30T16:26:13Z-
dc.date2017-05-30T16:26:13Z-
dc.date2009-01-
dc.date2017-05-22T14:03:47Z-
dc.date.accessioned2019-04-29T15:28:07Z-
dc.date.available2019-04-29T15:28:07Z-
dc.date.issued2017-05-30T16:26:13Z-
dc.date.issued2017-05-30T16:26:13Z-
dc.date.issued2009-01-
dc.date.issued2017-05-22T14:03:47Z-
dc.identifierDussan, A.; Schmidt, Javier Alejandro; Fracción de Volumen Cristalina en Muestras de µc-Si Dopadas con Boro Obtenida Mediante Espectroscopia Raman; Sociedad Colombiana de Física; Revista Colombiana de Física; 41; 1; 1-2009; 82-84-
dc.identifier0120-2650-
dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11336/17105-
dc.identifier.urihttp://rodna.bn.gov.ar:8080/jspui/handle/bnmm/294677-
dc.descriptionEn este trabajo, se depositaron muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro (μc-Si:H (B)) a partir del método de deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD), usando silano (SiH4) diluido en hidrógeno, y diborano (B2H6) como gas dopante. La concentración de diborano se varió en el rango entre 0 y 100 ppm. Se realizó un estudio de las propiedades estructurales a partir de la técnica de espectroscopia Raman. Los espectros Raman revelaron un aumento en la fracción de volumen cristalina (Xc) de las muestras a medida que la concentración de Boro aumentaba desde 0 a 75 ppm. Por encima de 75 ppm se encontró que la Xc decrece nuevamente indicando una amorfización en el material.-
dc.descriptionIn this work, boron doped microcrystalline silicon films (μc-Si:H (B)) was deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), using silane (SiH4) diluted in hydrogen, and diborane (B2H6) as a dopant gas. The concentration of B2H6 was varied in the range of 0 – 100 ppm. The structural properties of the films have been investigated by Raman mea-surements. A progressive increase in the crystalline volume fraction for concentrations from 0 to 75 ppm was detected; whereas for boron concentrations above 75 ppm was observed a reduction of XC, which indicates an amorphization of the material.-
dc.descriptionFil: Dussan, A.. Universidad Nacional de Colombia; Colombia-
dc.descriptionFil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina-
dc.formatapplication/pdf-
dc.formatapplication/pdf-
dc.languagespa-
dc.publisherSociedad Colombiana de Física-
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccess-
dc.rightshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/-
dc.sourcereponame:CONICET Digital (CONICET)-
dc.sourceinstname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas-
dc.sourceinstacron:CONICET-
dc.subjectSEMICONDUCTORES-
dc.subjectRAMAN-
dc.subjectPELÍCULAS DELGADAS-
dc.subjectSILICIO MICROCRISTALINO-
dc.subjectFísica de los Materiales Condensados-
dc.subjectCiencias Físicas-
dc.subjectCIENCIAS NATURALES Y EXACTAS-
dc.titleFracción de Volumen Cristalina en Muestras de µc-Si Dopadas con Boro Obtenida Mediante Espectroscopia Raman-
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article-
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion-
dc.typeinfo:ar-repo/semantics/articulo-
Aparece en las colecciones: CONICET

Ficheros en este ítem:
No hay ficheros asociados a este ítem.