1. RODNA
  2. CONICET
  3. CONICET
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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.creatorRomano, Carla Lidia-
dc.creatorUlloa, S. E.-
dc.creatorTamborenea, Pablo Ignacio-
dc.date2018-09-27T16:59:06Z-
dc.date2018-09-27T16:59:06Z-
dc.date2005-12-
dc.date2018-09-27T15:47:22Z-
dc.date.accessioned2019-04-29T15:28:36Z-
dc.date.available2019-04-29T15:28:36Z-
dc.date.issued2018-09-27T16:59:06Z-
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dc.date.issued2005-12-
dc.date.issued2018-09-27T15:47:22Z-
dc.identifierRomano, Carla Lidia; Ulloa, S. E.; Tamborenea, Pablo Ignacio; Level structure and spin-orbit effects in quasi-one-dimensional semiconductor nanostructures; American Physical Society; Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics; 71; 3; 12-2005; 35336-35341-
dc.identifier1098-0121-
dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11336/61073-
dc.identifierCONICET Digital-
dc.identifierCONICET-
dc.identifier.urihttp://rodna.bn.gov.ar:8080/jspui/handle/bnmm/294805-
dc.descriptionWe investigate theoretically how the spin-orbit Dresselhaus and Rashba effects influence the electronic structure of quasi-one-dimensional semiconductor quantum dots, similar to those that can be formed inside semiconductor nanorods. We calculate electronic energy levels, eigenfunctions, and effective g-factors for coupled, double dots made out of different materials, especially GaAs and InSb. We show that by choosing the form of the lateral confinement, the contributions of the Dresselhaus and Rashba terms can be tuned and suppressed, and we consider several possible cases of interest. We also study how, by varying the parameters of the double-well confinement in the longitudinal direction, the effective g-factor can be controlled to a large extent. © 2005 The American Physical Society.-
dc.descriptionFil: Romano, Carla Lidia. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Instituto de Física de Buenos Aires. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Instituto de Física de Buenos Aires; Argentina-
dc.descriptionFil: Ulloa, S. E.. Ohio University; Estados Unidos-
dc.descriptionFil: Tamborenea, Pablo Ignacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Instituto de Física de Buenos Aires. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Instituto de Física de Buenos Aires; Argentina-
dc.formatapplication/pdf-
dc.formatapplication/pdf-
dc.languageeng-
dc.publisherAmerican Physical Society-
dc.relationinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://prb.aps.org/abstract/PRB/v71/i3/e035336-
dc.relationinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.71.035336-
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccess-
dc.rightshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/-
dc.sourcereponame:CONICET Digital (CONICET)-
dc.sourceinstname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas-
dc.sourceinstacron:CONICET-
dc.subjectspin-orbit interaction-
dc.subjectquantum dots-
dc.subjectAstronomía-
dc.subjectCiencias Físicas-
dc.subjectCIENCIAS NATURALES Y EXACTAS-
dc.titleLevel structure and spin-orbit effects in quasi-one-dimensional semiconductor nanostructures-
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article-
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion-
dc.typeinfo:ar-repo/semantics/articulo-
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