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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.creatorBenvenuto, Ariel Gastón-
dc.creatorSchmidt, Javier Alejandro-
dc.creatorBuitrago, Roman Horacio-
dc.date2017-03-02T18:36:27Z-
dc.date2017-03-02T18:36:27Z-
dc.date2011-10-
dc.date2017-03-01T17:50:54Z-
dc.date.accessioned2019-04-29T15:31:39Z-
dc.date.available2019-04-29T15:31:39Z-
dc.date.issued2011-10-
dc.identifierBenvenuto, Ariel Gastón; Schmidt, Javier Alejandro; Buitrago, Roman Horacio; Obtención de Películas Delgadas de Silicio Policristalino a partir de Clorosilanos en Reactores de CVD; Asociación Física Argentina; Anales AFA; 22; 2; 10-2011; 56-59-
dc.identifier0327-358X-
dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11336/13478-
dc.identifier.urihttp://rodna.bn.gov.ar:8080/jspui/handle/bnmm/295792-
dc.descriptionEn este trabajo se presentan resultados obtenidos en la deposición y caracterización estructural de láminas delgadas de silicio policristalino. Como método de deposición se usó el CVD térmico a partir de triclorosilano, y como sustrato un vidrio comercial de alta temperatura. Se logró la deposición de películas policristalinas, con tamaños de grano entre 0,2 y 0,5 micrones, a temperaturas de entre 730 y 840 ºC. Las muestras presentan un crecimiento tipo columnar y una clara orientación cristalina (2 2 0). Estas características serían propicias para el transporte electrónico en la dirección perpendicular al sustrato.-
dc.descriptionIn this work, results obtained from the deposition and structural characterization of polycrystalline silicon thin films are presented. Thermal CVD from trichlorosilane was used as deposition method, and a high temperature commercial glass was used as substrate. The deposition of polycrystalline films with grain sizes between 0.2 and 0.5 microns was achieved, at temperatures in the range of 730 to 840 ºC. The samples present a columnar type growth and a clear (2 2 0) crystal orientation. This characteristics would be suitable for the electronic transport in the direction perpendicular to the substrate.-
dc.descriptionFil: Benvenuto, Ariel Gastón. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico Para la Industria Química (i); Argentina-
dc.descriptionFil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico Para la Industria Química (i); Argentina-
dc.descriptionFil: Buitrago, Roman Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico Para la Industria Química (i); Argentina-
dc.formatapplication/pdf-
dc.formatapplication/pdf-
dc.languagespa-
dc.publisherAsociación Física Argentina-
dc.relationinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/436/445-
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess-
dc.rightshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/-
dc.sourcereponame:CONICET Digital (CONICET)-
dc.sourceinstname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas-
dc.sourceinstacron:CONICET-
dc.subjectPELÍCULAS DELGADAS-
dc.subjectSILICIO POLICRISTALINO-
dc.subjectCVD-
dc.subjectOtras Ingeniería de los Materiales-
dc.subjectIngeniería de los Materiales-
dc.subjectINGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS-
dc.subjectFísica de los Materiales Condensados-
dc.subjectCiencias Físicas-
dc.subjectCIENCIAS NATURALES Y EXACTAS-
dc.titleObtención de Películas Delgadas de Silicio Policristalino a partir de Clorosilanos en Reactores de CVD-
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article-
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion-
dc.typeinfo:ar-repo/semantics/articulo-
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