Registro completo de metadatos
Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.provenanceCONICET-
dc.creatorGomez, Sergio Santiago-
dc.creatorRomero, Rodolfo Horacio-
dc.date2017-09-21T15:48:11Z-
dc.date2017-09-21T15:48:11Z-
dc.date2009-03-08-
dc.date2017-08-04T15:41:23Z-
dc.date.accessioned2019-04-29T15:37:29Z-
dc.date.available2019-04-29T15:37:29Z-
dc.date.issued2009-03-08-
dc.identifierGomez, Sergio Santiago; Romero, Rodolfo Horacio; Few-electron semiconductor quantum dots with Gaussian confinement; De Gruyter; Central European Journal of Physics; 7; 1; 8-3-2009; 12-21-
dc.identifier1895-1082-
dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11336/24793-
dc.identifier1644-3608-
dc.identifierCONICET Digital-
dc.identifierCONICET-
dc.identifier.urihttp://rodna.bn.gov.ar:8080/jspui/handle/bnmm/297971-
dc.descriptionWe have performed Hartree-Fock calculations of the electronic structure of N ≤ 10 electrons in a quantum dot modeled with a confining Gaussian potential well. We discuss the conditions for the stability of N bound electrons in the system. We show that the most relevant parameter determining the number of bound electrons is V 0 R 2. Such a feature arises from widely valid scaling properties of the confining potential. Gaussian Quantum dots having N = 2, 5, and 8 electrons are particularly stable in agreement with the Hund rule. The shell structure becomes less and less noticeable as the well radius increases.-
dc.descriptionFil: Gomez, Sergio Santiago. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Nordeste. Instituto de Modelado e Innovación Tecnológica. Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas Naturales y Agrimensura. Instituto de Modelado e Innovación Tecnológica; Argentina-
dc.descriptionFil: Romero, Rodolfo Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Nordeste. Instituto de Modelado e Innovación Tecnológica. Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas Naturales y Agrimensura. Instituto de Modelado e Innovación Tecnológica; Argentina-
dc.formatapplication/pdf-
dc.formatapplication/pdf-
dc.formatapplication/pdf-
dc.languageeng-
dc.publisherDe Gruyter-
dc.relationinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://www.degruyter.com/view/j/phys.2009.7.issue-1/s11534-008-0132-z/s11534-008-0132-z.xml-
dc.relationinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/https://doi.org/10.2478/s11534-008-0132-z-
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess-
dc.rightshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/ar/-
dc.sourcereponame:CONICET Digital (CONICET)-
dc.sourceinstname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas-
dc.sourceinstacron:CONICET-
dc.source.urihttp://hdl.handle.net/11336/24793-
dc.subjectQUANTUM DOT-
dc.subjectGAUSSIAN POTENTIAL-
dc.subjectELECTRONIC STRUCTURE-
dc.subjectOtras Ciencias Físicas-
dc.subjectCiencias Físicas-
dc.subjectCIENCIAS NATURALES Y EXACTAS-
dc.titleFew-electron semiconductor quantum dots with Gaussian confinement-
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article-
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion-
dc.typeinfo:ar-repo/semantics/articulo-
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